casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Array / BAS40-06/DG/B2,215
codice articolo del costruttore | BAS40-06/DG/B2,215 |
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Numero di parte futuro | FT-BAS40-06/DG/B2,215 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
BAS40-06/DG/B2,215 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Configurazione diodi | 1 Pair Common Anode |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 40V |
Corrente - Rettificato medio (Io) (per diodo) | 120mA (DC) |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1V @ 40mA |
Velocità | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 10µA @ 40V |
Temperatura operativa - Giunzione | 150°C (Max) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-236AB |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BAS40-06/DG/B2,215 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BAS40-06/DG/B2,215-FT |
MBR200100CTR
GeneSiC Semiconductor
MBR200150CT
GeneSiC Semiconductor
MBR200150CTR
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MBR200200CT
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MBR200200CTR
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MBR20020CT
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MBR20020CTR
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MBR20035CT
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MBR20035CTR
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MBR20040CT
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LCMXO2-4000HC-5TG144C
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XC4010XL-1PQ100C
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XC2S150-5PQ208C
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M1A3PE3000-1FG484
Microsemi Corporation
5SGXEA7N3F45C2L
Intel
5SGXEABN3F45C4N
Intel
XC7K355T-1FF901C
Xilinx Inc.
XC7A35T-2CSG324I
Xilinx Inc.
EP1S40F780C7N
Intel
EP4SGX530HH35C2N
Intel