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Infineon Technologies AUIRF7343QTR

Numero parte MFG
AUIRF7343QTR
quantità disponibile
78870 pezzi
Prezzo di riferimento
USD 0.67348
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Data di spedizione
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fabbricante
Infineon Technologies
Breve descrizione
HEXFET® MOSFET N/P-CH 55V 4.7/3.4A 8SOIC
Stato senza piombo / Stato RoHS
Conformità RoHS (senza piombo)
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (illimitato)
Codice data (D / C)
Nuovo
categoria di prodotto
Transistor - FET, MOSFET - Array
Risorsa stock
Distributore in franchising
Garanzia
360 giorni di garanzia di qualità
scheda dati
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codice articolo del costruttore AUIRF7343QTR
Numero di parte futuro FT-AUIRF7343QTR
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Materiale di imballaggio Reel/Tray/Tube/Others
serie HEXFET®
AUIRF7343QTR Stato (ciclo di vita) Disponibile
Stato parte Active
Tipo FET N and P-Channel
Caratteristica FET Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss) 55V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 4.7A, 3.4A
Rds On (Max) @ Id, Vgs 50 mOhm @ 4.7A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 36nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 740pF @ 25V
Potenza - Max 2W
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto / caso 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore 8-SO
Paese d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
AUIRF7343QTR Peso Contattaci
Numero parte di ricambio AUIRF7343QTR-FT

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