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Nexperia USA Inc. PHKD6N02LT,518

Name: PHKD6N02LT,518
Brand: Nexperia USA Inc.
SKU: PHKD6N02LT,518
Availability: InStock
Rating: 4.9 (595 reviews)

Numero parte MFG: PHKD6N02LT,518

quantità disponibile: 11230 pezzi

Prezzo di riferimento: USD 0

Il nostro prezzo: Abbiamo un grande sconto, non esitate a contattarci

Data di spedizione: Oggi possiamo spedire

fabbricante: Nexperia USA Inc.

Breve descrizione: TrenchMOS™ MOSFET 2N-CH 20V 10.9A SOT96-1

Stato senza piombo / Stato RoHS: Conformità RoHS (senza piombo)

Livello di sensibilità all'umidità (MSL): 1 (illimitato)

Codice data (D / C): Nuovo

categoria di prodotto: Transistor - FET, MOSFET - Array

Risorsa stock: Distributore in franchising

Garanzia: 360 giorni di garanzia di qualità

scheda dati: PHKD6N02LT,518.pdf

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PHKD6N02LT,518 specificazioni

codice articolo del costruttore	PHKD6N02LT,518
Numero di parte futuro	FT-PHKD6N02LT,518
SPQ / MOQ	Contattaci
Materiale di imballaggio	Reel/Tray/Tube/Others
serie	TrenchMOS™
PHKD6N02LT,518 Stato (ciclo di vita)	Disponibile
Stato parte	Obsolete
Tipo FET	2 N-Channel (Dual)
Caratteristica FET	Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)	20V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	10.9A
Rds On (Max) @ Id, Vgs	20 mOhm @ 3A, 5V
Vgs (th) (Max) @ Id	1.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	15.3nC @ 5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	950pF @ 10V
Potenza - Max	4.17W
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto / caso	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore	8-SO
Paese d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
PHKD6N02LT,518 Peso	Contattaci
Numero parte di ricambio	PHKD6N02LT,518-FT

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