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Nexperia USA Inc. PHKD3NQ10T,518

Numero parte MFG
PHKD3NQ10T,518
quantità disponibile
76360 pezzi
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fabbricante
Nexperia USA Inc.
Breve descrizione
TrenchMOS™ MOSFET 2N-CH 100V 3A 8SOIC
Stato senza piombo / Stato RoHS
Conformità RoHS (senza piombo)
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (illimitato)
Codice data (D / C)
Nuovo
categoria di prodotto
Transistor - FET, MOSFET - Array
Risorsa stock
Distributore in franchising
Garanzia
360 giorni di garanzia di qualità
scheda dati
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codice articolo del costruttore PHKD3NQ10T,518
Numero di parte futuro FT-PHKD3NQ10T,518
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Materiale di imballaggio Reel/Tray/Tube/Others
serie TrenchMOS™
PHKD3NQ10T,518 Stato (ciclo di vita) Disponibile
Stato parte Obsolete
Tipo FET 2 N-Channel (Dual)
Caratteristica FET Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss) 100V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 3A
Rds On (Max) @ Id, Vgs 90 mOhm @ 1.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 21nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 633pF @ 20V
Potenza - Max 2W
temperatura di esercizio -65°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto / caso 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore 8-SO
Paese d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
PHKD3NQ10T,518 Peso Contattaci
Numero parte di ricambio PHKD3NQ10T,518-FT

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