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Nexperia USA Inc. PHKD3NQ10T,518
- Numero parte MFG
- PHKD3NQ10T,518
- quantità disponibile
- 76360 pezzi
- Prezzo di riferimento
- USD 0
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- Data di spedizione
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- fabbricante
- Nexperia USA Inc.
- Breve descrizione
- TrenchMOS™ MOSFET 2N-CH 100V 3A 8SOIC
- Stato senza piombo / Stato RoHS
- Conformità RoHS (senza piombo)
- Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
- 1 (illimitato)
- Codice data (D / C)
- Nuovo
- categoria di prodotto
- Transistor - FET, MOSFET - Array
- Risorsa stock
- Distributore in franchising
- Garanzia
- 360 giorni di garanzia di qualità
- scheda dati
- PHKD3NQ10T,518.pdf
PHKD3NQ10T,518 specificazioni
| codice articolo del costruttore | PHKD3NQ10T,518 |
|---|---|
| Numero di parte futuro | FT-PHKD3NQ10T,518 |
| SPQ / MOQ | Contattaci |
| Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
| serie | TrenchMOS™ |
| PHKD3NQ10T,518 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
| Stato parte | Obsolete |
| Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) |
| Caratteristica FET | Logic Level Gate |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 3A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 90 mOhm @ 1.5A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 21nC @ 10V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 633pF @ 20V |
| Potenza - Max | 2W |
| temperatura di esercizio | -65°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / caso | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Pacchetto dispositivo fornitore | 8-SO |
| Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
| PHKD3NQ10T,518 Peso | Contattaci |
| Numero parte di ricambio | PHKD3NQ10T,518-FT |
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