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NXP USA Inc. PHN210,118

Numero parte MFG
PHN210,118
quantità disponibile
31670 pezzi
Prezzo di riferimento
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fabbricante
NXP USA Inc.
Breve descrizione
TrenchMOS™ MOSFET 2N-CH 30V 8SOIC
Stato senza piombo / Stato RoHS
Conformità RoHS (senza piombo)
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (illimitato)
Codice data (D / C)
Nuovo
categoria di prodotto
Transistor - FET, MOSFET - Array
Risorsa stock
Distributore in franchising
Garanzia
360 giorni di garanzia di qualità
scheda dati
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Numero di parte futuro FT-PHN210,118
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Materiale di imballaggio Reel/Tray/Tube/Others
serie TrenchMOS™
PHN210,118 Stato (ciclo di vita) Disponibile
Stato parte Obsolete
Tipo FET 2 N-Channel (Dual)
Caratteristica FET Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 100 mOhm @ 2.2A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.8V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 6nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 250pF @ 20V
Potenza - Max 2W
temperatura di esercizio -65°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto / caso 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore 8-SO
Paese d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
PHN210,118 Peso Contattaci
Numero parte di ricambio PHN210,118-FT

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