casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / AU2PJHM3_A/H
codice articolo del costruttore | AU2PJHM3_A/H |
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Numero di parte futuro | FT-AU2PJHM3_A/H |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101, eSMP® |
AU2PJHM3_A/H Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Avalanche |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 600V |
Corrente: media rettificata (Io) | 1.6A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.9V @ 2A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 75ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 10µA @ 600V |
Capacità @ Vr, F | 42pF @ 4V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-277, 3-PowerDFN |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-277A (SMPC) |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 175°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
AU2PJHM3_A/H Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | AU2PJHM3_A/H-FT |
SS5P9-M3/86A
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS8P2L-M3/86A
Vishay Semiconductor Diodes Division
V10P12HM3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
V12P10HM3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
V12P12HM3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
V25PN60-M3/86A
Vishay Semiconductor Diodes Division
V8P12-M3/86A
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-4ESH01HM3/86A
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-4ESH02HM3/86A
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-6ESH02-M3/86A
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC7A50T-L1CSG325I
Xilinx Inc.
APA600-CGS624M
Microsemi Corporation
M1A3PE3000-2FGG484
Microsemi Corporation
AT40K20LV-3DQC
Microchip Technology
A42MX24-PL84M
Microsemi Corporation
AGL250V2-FGG144I
Microsemi Corporation
LCMXO3L-1300C-6BG256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S40F780C6N
Intel
EPF10K30RC240-3
Intel
EP20K400ERC208-3
Intel