casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / V8P12-M3/86A
codice articolo del costruttore | V8P12-M3/86A |
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Numero di parte futuro | FT-V8P12-M3/86A |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101, eSMP®, TMBS® |
V8P12-M3/86A Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 120V |
Corrente: media rettificata (Io) | 8A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 840mV @ 8A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 300µA @ 120V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-277, 3-PowerDFN |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-277A (SMPC) |
Temperatura operativa - Giunzione | -40°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
V8P12-M3/86A Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | V8P12-M3/86A-FT |
SD103AWS-G3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
SD103AWS-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
SD103AWS-HG3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
SD103AWS-HG3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
SD103BWS-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
SD103BWS-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
SD103BWS-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
SD103BWS-G3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
SD103BWS-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
SD103BWS-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC6SLX150-3FGG676C
Xilinx Inc.
XC4003E-2VQ100C
Xilinx Inc.
XC4008E-1PQ208C
Xilinx Inc.
APA750-FG896
Microsemi Corporation
A3P250-PQG208I
Microsemi Corporation
A3P125-1VQG100
Microsemi Corporation
5SGTMC7K3F40C1N
Intel
XC4003E-2PC84I
Xilinx Inc.
LCMXO2-7000HC-4BG332C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-2000HC-6FTG256I
Lattice Semiconductor Corporation