casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / V12P12HM3_A/H
codice articolo del costruttore | V12P12HM3_A/H |
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Numero di parte futuro | FT-V12P12HM3_A/H |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101, eSMP®, TMBS® |
V12P12HM3_A/H Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 120V |
Corrente: media rettificata (Io) | 3.9A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 830mV @ 10A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 400µA @ 120V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-277, 3-PowerDFN |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-277A (SMPC) |
Temperatura operativa - Giunzione | -40°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
V12P12HM3_A/H Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | V12P12HM3_A/H-FT |
SD103AWS-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
SD103AWS-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
SD103AWS-G3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
SD103AWS-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
SD103AWS-HG3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
SD103AWS-HG3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
SD103BWS-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
SD103BWS-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
SD103BWS-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
SD103BWS-G3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
A3PN020-QNG68
Microsemi Corporation
XC3S1400A-4FT256I
Xilinx Inc.
XC6SLX16-3FT256C
Xilinx Inc.
XC7A200T-1FBG676I
Xilinx Inc.
A54SX08A-PQ208I
Microsemi Corporation
LFE5U-12F-7BG381C
Lattice Semiconductor Corporation
A3PN060-Z1VQG100I
Microsemi Corporation
XC5VLX220T-1FFG1738C
Xilinx Inc.
LCMXO640E-3M100C
Lattice Semiconductor Corporation
5CEFA4M13C8N
Intel