casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / VS-6ESH02-M3/86A
codice articolo del costruttore | VS-6ESH02-M3/86A |
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Numero di parte futuro | FT-VS-6ESH02-M3/86A |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | FRED Pt® |
VS-6ESH02-M3/86A Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 200V |
Corrente: media rettificata (Io) | 6A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 940mV @ 6A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 22ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 2µA @ 200V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-277, 3-PowerDFN |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-277A (SMPC) |
Temperatura operativa - Giunzione | -65°C ~ 175°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VS-6ESH02-M3/86A Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | VS-6ESH02-M3/86A-FT |
SD103AWS-HG3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
SD103BWS-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
SD103BWS-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
SD103BWS-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
SD103BWS-G3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
SD103BWS-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
SD103BWS-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
SD103BWS-HG3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
SD103BWS-HG3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
SD103CWS-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
XCS40XL-5PQG208C
Xilinx Inc.
XC7A15T-1FGG484I
Xilinx Inc.
A3PE3000-FG484
Microsemi Corporation
LCMXO1200E-3FTN256I
Lattice Semiconductor Corporation
A42MX16-1VQ100M
Microsemi Corporation
5SGSMD4K3F40I3N
Intel
5SGSED6N2F45C2N
Intel
EP2SGX90EF1152C3ES
Intel
LFE2M100SE-5FN900I
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXBB7D4F35C4N
Intel