casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / AT25160B-XPDGV-T
codice articolo del costruttore | AT25160B-XPDGV-T |
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Numero di parte futuro | FT-AT25160B-XPDGV-T |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q100 |
AT25160B-XPDGV-T Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo di memoria | Non-Volatile |
Formato di memoria | EEPROM |
Tecnologia | EEPROM |
Dimensione della memoria | 16Kb (2K x 8) |
Frequenza di clock | 5MHz |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | 5ms |
Tempo di accesso | - |
Interfaccia di memoria | SPI |
Tensione - Fornitura | 2.5V ~ 5.5V |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 125°C (TA) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) |
Pacchetto dispositivo fornitore | 8-TSSOP |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
AT25160B-XPDGV-T Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | AT25160B-XPDGV-T-FT |
AS4C32M16MS-7BCNTR
Alliance Memory, Inc.
AS4C512M32MD3-15BCNTR
Alliance Memory, Inc.
AS4C512M8D3B-12BAN
Alliance Memory, Inc.
AS4C512M8D3B-12BANTR
Alliance Memory, Inc.
AS4C512M8D3B-12BIN
Alliance Memory, Inc.
AS4C512M8D3B-12BINTR
Alliance Memory, Inc.
AS4C64M16MD1-5BCN
Alliance Memory, Inc.
AS4C64M16MD1-5BCNTR
Alliance Memory, Inc.
AS4C64M16MD1-5BIN
Alliance Memory, Inc.
AS4C64M16MD1-5BINTR
Alliance Memory, Inc.
A54SX32A-TQG144
Microsemi Corporation
LCMXO1200C-4T100I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2280C-4T100C
Lattice Semiconductor Corporation
5SGSED8K3F40I4N
Intel
10CX150YF672E6G
Intel
5SGXEA9N3F45I4N
Intel
LFEC33E-5F672C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-7000HE-5BG332C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115H3F34E2SG
Intel
EP3SE50F780C4
Intel