casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / AS4C64M16MD1-5BIN
codice articolo del costruttore | AS4C64M16MD1-5BIN |
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Numero di parte futuro | FT-AS4C64M16MD1-5BIN |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
AS4C64M16MD1-5BIN Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo di memoria | Volatile |
Formato di memoria | DRAM |
Tecnologia | SDRAM - Mobile LPDDR |
Dimensione della memoria | 1Gb (64M x 16) |
Frequenza di clock | 200MHz |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | 15ns |
Tempo di accesso | 5ns |
Interfaccia di memoria | Parallel |
Tensione - Fornitura | 1.7V ~ 1.95V |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 60-TFBGA |
Pacchetto dispositivo fornitore | 60-FBGA (8x10) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
AS4C64M16MD1-5BIN Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | AS4C64M16MD1-5BIN-FT |
93LC66BT-I/OT15KVAO
Microchip Technology
93LC66C-I/S15K
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93LC66C/WF15K
Microchip Technology
93LC76C-I/S15K
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93LC76C-I/W15K
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93LC76C-I/WF15K
Microchip Technology
LFXP3C-3T144I
Lattice Semiconductor Corporation
XC3S1600E-5FG320C
Xilinx Inc.
A3PE600-2FGG484I
Microsemi Corporation
ICE40UL640-SWG16ITR1K
Lattice Semiconductor Corporation
A3PN250-1VQ100I
Microsemi Corporation
5SGSED8N1F45C2LN
Intel
A1010B-2PLG44C
Microsemi Corporation
LFX200B-05FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S20F780C5N
Intel
5SGXEA3H3F35C2LN
Intel