casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / AS4C512M8D3B-12BIN
codice articolo del costruttore | AS4C512M8D3B-12BIN |
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Numero di parte futuro | FT-AS4C512M8D3B-12BIN |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
AS4C512M8D3B-12BIN Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Preliminary |
Tipo di memoria | Volatile |
Formato di memoria | DRAM |
Tecnologia | SDRAM - DDR3 |
Dimensione della memoria | 4Gb (512M x 8) |
Frequenza di clock | 800MHz |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | 15ns |
Tempo di accesso | 20ns |
Interfaccia di memoria | Parallel |
Tensione - Fornitura | 1.425V ~ 1.575V |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 95°C (TC) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 78-VFBGA |
Pacchetto dispositivo fornitore | 78-FBGA (9x10.5) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
AS4C512M8D3B-12BIN Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | AS4C512M8D3B-12BIN-FT |
93LC56C/S15K
Microchip Technology
93LC56C/W15K
Microchip Technology
93LC56C/WF15K
Microchip Technology
93LC56CT-E/MC15KVAO
Microchip Technology
93LC66BT-I/OT15KVAO
Microchip Technology
93LC66C-I/S15K
Microchip Technology
93LC66C-I/W15K
Microchip Technology
93LC66C-I/WF15K
Microchip Technology
93LC66C/S15K
Microchip Technology
93LC66C/W15K
Microchip Technology
XC2S100-5TQ144C
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XC5202-5PQ100C
Xilinx Inc.
A3PE600-2FGG484I
Microsemi Corporation
APA300-FG256M
Microsemi Corporation
A3P250-PQG208
Microsemi Corporation
EP20K600CF672C8
Intel
10CL010YU256C8G
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5SGSMD5H3F35I3LN
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XC4028XL-09HQ208C
Xilinx Inc.
XC7K355T-2FF901I
Xilinx Inc.