casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / AS4C512M8D3B-12BAN
codice articolo del costruttore | AS4C512M8D3B-12BAN |
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Numero di parte futuro | FT-AS4C512M8D3B-12BAN |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q100 |
AS4C512M8D3B-12BAN Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Preliminary |
Tipo di memoria | Volatile |
Formato di memoria | DRAM |
Tecnologia | SDRAM - DDR3 |
Dimensione della memoria | 4Gb (512M x 8) |
Frequenza di clock | 800MHz |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | 15ns |
Tempo di accesso | 20ns |
Interfaccia di memoria | Parallel |
Tensione - Fornitura | 1.425V ~ 1.575V |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 105°C (TC) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 78-VFBGA |
Pacchetto dispositivo fornitore | 78-FBGA (9x10.5) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
AS4C512M8D3B-12BAN Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | AS4C512M8D3B-12BAN-FT |
93LC56C-I/W15K
Microchip Technology
93LC56C-I/WF15K
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93LC56C/S15K
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93LC56C/W15K
Microchip Technology
93LC56C/WF15K
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93LC56CT-E/MC15KVAO
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93LC66BT-I/OT15KVAO
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93LC66C-I/S15K
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93LC66C-I/W15K
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93LC66C-I/WF15K
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A3P030-2QNG68I
Microsemi Corporation
XC3S50A-5TQG144C
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A3P250-2FG256I
Microsemi Corporation
A54SX32A-2PQG208I
Microsemi Corporation
5SGXMA3E1H29I2N
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XC4VLX40-11FFG1148I
Xilinx Inc.
A40MX04-2PQG100I
Microsemi Corporation
10AX057K1F35I1SG
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EPF10K50SQC240-1N
Intel
EP1S25F1020C7N
Intel