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Microsemi Corporation APTSM120AM55CT1AG

Numero parte MFG
APTSM120AM55CT1AG
quantità disponibile
97340 pezzi
Prezzo di riferimento
USD 113.64352
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Data di spedizione
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fabbricante
Microsemi Corporation
Breve descrizione
- POWER MODULE - SIC
Stato senza piombo / Stato RoHS
Conformità RoHS (senza piombo)
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (illimitato)
Codice data (D / C)
Nuovo
categoria di prodotto
Transistor - FET, MOSFET - Array
Risorsa stock
Distributore in franchising
Garanzia
360 giorni di garanzia di qualità
scheda dati
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Numero di parte futuro FT-APTSM120AM55CT1AG
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Materiale di imballaggio Reel/Tray/Tube/Others
serie -
APTSM120AM55CT1AG Stato (ciclo di vita) Disponibile
Stato parte Active
Tipo FET 2 N-Channel (Dual), Schottky
Caratteristica FET Silicon Carbide (SiC)
Drain to Source Voltage (Vdss) 1200V (1.2kV)
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 74A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 50 mOhm @ 40A, 20V
Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 2mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 272nC @ 20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 5120pF @ 1000V
Potenza - Max 470W
temperatura di esercizio -40°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio Chassis Mount
Pacchetto / caso SP1
Pacchetto dispositivo fornitore SP1
Paese d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
APTSM120AM55CT1AG Peso Contattaci
Numero parte di ricambio APTSM120AM55CT1AG-FT

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