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Diodes Incorporated DMT10H017LPD-13

Name: DMT10H017LPD-13
Brand: Diodes Incorporated
SKU: DMT10H017LPD-13
Price: 0.657024 USD
Availability: InStock
Rating: 4.9 (516 reviews)

Numero parte MFG: DMT10H017LPD-13

quantità disponibile: 91000 pezzi

Prezzo di riferimento: USD 0.657024

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fabbricante: Diodes Incorporated

Breve descrizione: Automotive, AEC-Q101 MOSFET BVDSS 61V-100V POWERDI50

Stato senza piombo / Stato RoHS: Conformità RoHS (senza piombo)

Livello di sensibilità all'umidità (MSL): 1 (illimitato)

Codice data (D / C): Nuovo

categoria di prodotto: Transistor - FET, MOSFET - Array

Risorsa stock: Distributore in franchising

Garanzia: 360 giorni di garanzia di qualità

scheda dati: DMT10H017LPD-13.pdf

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DMT10H017LPD-13 specificazioni

codice articolo del costruttore	DMT10H017LPD-13
Numero di parte futuro	FT-DMT10H017LPD-13
SPQ / MOQ	Contattaci
Materiale di imballaggio	Reel/Tray/Tube/Others
serie	Automotive, AEC-Q101
DMT10H017LPD-13 Stato (ciclo di vita)	Disponibile
Stato parte	Active
Tipo FET	2 N-Channel (Dual)
Caratteristica FET	Standard
Drain to Source Voltage (Vdss)	100V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	54.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	17.4 mOhm @ 17A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	28.6nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	1986pF @ 50V
Potenza - Max	2.2W (Ta), 78W (Tc)
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto / caso	8-PowerTDFN
Pacchetto dispositivo fornitore	PowerDI5060-8
Paese d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
DMT10H017LPD-13 Peso	Contattaci
Numero parte di ricambio	DMT10H017LPD-13-FT

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