casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFET - Array / DMN3012LDG-7
codice articolo del costruttore | DMN3012LDG-7 |
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Numero di parte futuro | FT-DMN3012LDG-7 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
DMN3012LDG-7 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) |
Caratteristica FET | Standard |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 10A (Ta), 20A (Tc) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 12 mOhm @ 15A, 5V, 6 mOhm @ 15A, 5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.1V @ 250µA, 1.15V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 6.1nC @ 4.5V, 12.6nC @ 4.5V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 850pF @ 15V, 1480pF @ 15V |
Potenza - Max | 2.2W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 8-PowerLDFN |
Pacchetto dispositivo fornitore | PowerDI3333-8 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DMN3012LDG-7 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | DMN3012LDG-7-FT |
DMN3022LFG-13
Diodes Incorporated
SQ1902AEL-T1_GE3
Vishay Siliconix
SQJ942EP-T1_GE3
Vishay Siliconix
ZXMN3AMCTA
Diodes Incorporated
SQ4282EY-T1_GE3
Vishay Siliconix
SQ4532AEY-T1_GE3
Vishay Siliconix
SQ4937EY-T1_GE3
Vishay Siliconix
SQ4949EY-T1_GE3
Vishay Siliconix
DMN3016LDV-7
Diodes Incorporated
STL20DNF06LAG
STMicroelectronics
ICE5LP2K-SG48ITR
Lattice Semiconductor Corporation
AT6005A-2AC
Microchip Technology
XC6SLX100T-2FG676I
Xilinx Inc.
AGLE600V5-FG484
Microsemi Corporation
10CX220YF780E5G
Intel
5CGXFC9A6U19I7
Intel
EP3SL110F1152C3
Intel
XC2VP20-7FFG896C
Xilinx Inc.
A42MX16-PQG100A
Microsemi Corporation
EP3C55F780C7N
Intel