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Diodes Incorporated DMN3012LFG-13

Numero parte MFG
DMN3012LFG-13
quantità disponibile
14820 pezzi
Prezzo di riferimento
USD 0.594
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fabbricante
Diodes Incorporated
Breve descrizione
- MOSFET 2 N-CH 30V POWERDI3333
Stato senza piombo / Stato RoHS
Conformità RoHS (senza piombo)
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (illimitato)
Codice data (D / C)
Nuovo
categoria di prodotto
Transistor - FET, MOSFET - Array
Risorsa stock
Distributore in franchising
Garanzia
360 giorni di garanzia di qualità
scheda dati
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DMN3012LFG-13 specificazioni

codice articolo del costruttore DMN3012LFG-13
Numero di parte futuro FT-DMN3012LFG-13
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Materiale di imballaggio Reel/Tray/Tube/Others
serie -
DMN3012LFG-13 Stato (ciclo di vita) Disponibile
Stato parte Active
Tipo FET 2 N-Channel (Dual)
Caratteristica FET Standard
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 12 mOhm @ 15A, 5V, 6 mOhm @ 15A, 5V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.1V @ 250µA, 1.15V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 6.1nC @ 4.5V, 12.6nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 850pF @ 15V, 1480pF @ 15V
Potenza - Max 2.2W
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto / caso 8-PowerLDFN
Pacchetto dispositivo fornitore PowerDI3333-8
Paese d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
DMN3012LFG-13 Peso Contattaci
Numero parte di ricambio DMN3012LFG-13-FT

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