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Microsemi Corporation APTMC120AM08CD3AG

Name: APTMC120AM08CD3AG
Brand: Microsemi Corporation
SKU: APTMC120AM08CD3AG
Price: 959.976 USD
Availability: InStock
Rating: 4.9 (619 reviews)

Numero parte MFG: APTMC120AM08CD3AG

quantità disponibile: 82810 pezzi

Prezzo di riferimento: USD 959.976

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Data di spedizione: Oggi possiamo spedire

fabbricante: Microsemi Corporation

Breve descrizione: - MOSFET 2N-CH 1200V 250A D3

Stato senza piombo / Stato RoHS: Conformità RoHS (senza piombo)

Livello di sensibilità all'umidità (MSL): 1 (illimitato)

Codice data (D / C): Nuovo

categoria di prodotto: Transistor - FET, MOSFET - Array

Risorsa stock: Distributore in franchising

Garanzia: 360 giorni di garanzia di qualità

scheda dati: APTMC120AM08CD3AG.pdf

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APTMC120AM08CD3AG specificazioni

codice articolo del costruttore	APTMC120AM08CD3AG
Numero di parte futuro	FT-APTMC120AM08CD3AG
SPQ / MOQ	Contattaci
Materiale di imballaggio	Reel/Tray/Tube/Others
serie	-
APTMC120AM08CD3AG Stato (ciclo di vita)	Disponibile
Stato parte	Active
Tipo FET	2 N-Channel (Half Bridge)
Caratteristica FET	Silicon Carbide (SiC)
Drain to Source Voltage (Vdss)	1200V (1.2kV)
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	250A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	10 mOhm @ 200A, 20V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.2V @ 10mA (Typ)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	490nC @ 20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	9500pF @ 1000V
Potenza - Max	1100W
temperatura di esercizio	-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Chassis Mount
Pacchetto / caso	D-3 Module
Pacchetto dispositivo fornitore	D3
Paese d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
APTMC120AM08CD3AG Peso	Contattaci
Numero parte di ricambio	APTMC120AM08CD3AG-FT

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