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Rohm Semiconductor BSM300D12P2E001

Numero parte MFG
BSM300D12P2E001
quantità disponibile
63270 pezzi
Prezzo di riferimento
USD 537.096
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fabbricante
Rohm Semiconductor
Breve descrizione
- MOSFET 2N-CH 1200V 300A
Stato senza piombo / Stato RoHS
Conformità RoHS (senza piombo)
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (illimitato)
Codice data (D / C)
Nuovo
categoria di prodotto
Transistor - FET, MOSFET - Array
Risorsa stock
Distributore in franchising
Garanzia
360 giorni di garanzia di qualità
scheda dati
BSM300D12P2E001.pdf
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Numero di parte futuro FT-BSM300D12P2E001
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Materiale di imballaggio Reel/Tray/Tube/Others
serie -
BSM300D12P2E001 Stato (ciclo di vita) Disponibile
Stato parte Active
Tipo FET 2 N-Channel (Half Bridge)
Caratteristica FET Silicon Carbide (SiC)
Drain to Source Voltage (Vdss) 1200V (1.2kV)
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 300A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs -
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 68mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs -
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 35000pF @ 10V
Potenza - Max 1875W
temperatura di esercizio -40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Chassis Mount
Pacchetto / caso Module
Pacchetto dispositivo fornitore Module
Paese d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
BSM300D12P2E001 Peso Contattaci
Numero parte di ricambio BSM300D12P2E001-FT

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