casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFET - Array / NTMFD4901NFT1G
codice articolo del costruttore | NTMFD4901NFT1G |
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Numero di parte futuro | FT-NTMFD4901NFT1G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
NTMFD4901NFT1G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | 2 N-Channel (Dual), Schottky |
Caratteristica FET | Logic Level Gate |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 10.3A, 17.9A |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6.5 mOhm @ 10A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.2V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 9.7nC @ 4.5V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1150pF @ 15V |
Potenza - Max | 1.1W, 1.2W |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 8-PowerTDFN |
Pacchetto dispositivo fornitore | 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual-Asymmetrical) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NTMFD4901NFT1G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | NTMFD4901NFT1G-FT |
SIZ346DT-T1-GE3
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