casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - IGBT - Moduli / APTGT225DA170G
codice articolo del costruttore | APTGT225DA170G |
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Numero di parte futuro | FT-APTGT225DA170G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
APTGT225DA170G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo IGBT | Trench Field Stop |
Configurazione | Single |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1700V |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 340A |
Potenza - Max | 1250W |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.4V @ 15V, 225A |
Corrente - Limite del collettore (max) | 500µA |
Capacità di ingresso (Cies) @ Vce | 20nF @ 25V |
Ingresso | Standard |
Termistore NTC | No |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Chassis Mount |
Pacchetto / caso | SP6 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SP6 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
APTGT225DA170G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | APTGT225DA170G-FT |
VS-GB150TH120N
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-GB150TH120U
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-GB200LH120N
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-GB200NH120N
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-GB200TH120N
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-GB200TH120U
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-GB300AH120N
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-GB300LH120N
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-GB300NH120N
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-GB300TH120N
Vishay Semiconductor Diodes Division
A1010B-VQG80C
Microsemi Corporation
XC2S50E-6FTG256C
Xilinx Inc.
AX250-FG484M
Microsemi Corporation
LCMXO1200E-4FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX022E3F27E2LG
Intel
10M50DAF672C8G
Intel
5SGXMB6R1F43C2LN
Intel
XC7K70T-1FB484C
Xilinx Inc.
EP2C70F896C6N
Intel
EP1C4F400C8
Intel