casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - IGBT - Moduli / VS-GB300NH120N
codice articolo del costruttore | VS-GB300NH120N |
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Numero di parte futuro | FT-VS-GB300NH120N |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
VS-GB300NH120N Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo IGBT | - |
Configurazione | Single |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1200V |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 500A |
Potenza - Max | 1645W |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.45V @ 15V, 300A |
Corrente - Limite del collettore (max) | 5mA |
Capacità di ingresso (Cies) @ Vce | 21.2nF @ 25V |
Ingresso | Standard |
Termistore NTC | No |
temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Chassis Mount |
Pacchetto / caso | Double INT-A-PAK (3 + 4) |
Pacchetto dispositivo fornitore | Double INT-A-PAK |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VS-GB300NH120N Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | VS-GB300NH120N-FT |
FP75R12KT4B16BOSA1
Infineon Technologies
FP75R12N2T4B11BPSA1
Infineon Technologies
FP75R12N2T4B16BOSA1
Infineon Technologies
FP75R12N2T4BOSA1
Infineon Technologies
FS100R06KE3BOSA1
Infineon Technologies
FS100R07N2E4BOSA1
Infineon Technologies
FS100R12KS4BOSA1
Infineon Technologies
FS100R12KT4BOSA1
Infineon Technologies
FS100R12KT4GB11BOSA1
Infineon Technologies
FS100R12KT4GBOSA1
Infineon Technologies
EP2C8T144I8N
Intel
APA300-FG256M
Microsemi Corporation
A42MX16-3PQ208
Microsemi Corporation
XC6VLX240T-2FF1156I
Xilinx Inc.
LFEC20E-4F484I
Lattice Semiconductor Corporation
5CEFA9F23C7N
Intel
10AX115U4F45I3LG
Intel
5AGXBA7D4F35C4N
Intel
EP2SGX130GF40C5NES
Intel
EP20K100EFC324-2N
Intel