casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - IGBT - Moduli / VS-GB300AH120N
codice articolo del costruttore | VS-GB300AH120N |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-VS-GB300AH120N |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
VS-GB300AH120N Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo IGBT | - |
Configurazione | Single |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1200V |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 620A |
Potenza - Max | 2500W |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 1.9V @ 15V, 300A (Typ) |
Corrente - Limite del collettore (max) | 5mA |
Capacità di ingresso (Cies) @ Vce | 21nF @ 25V |
Ingresso | Standard |
Termistore NTC | No |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Chassis Mount |
Pacchetto / caso | Double INT-A-PAK (5) |
Pacchetto dispositivo fornitore | Double INT-A-PAK |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VS-GB300AH120N Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | VS-GB300AH120N-FT |
FP75R06KE3BOSA1
Infineon Technologies
FP75R07N2E4BOSA1
Infineon Technologies
FP75R12KT4B16BOSA1
Infineon Technologies
FP75R12N2T4B11BPSA1
Infineon Technologies
FP75R12N2T4B16BOSA1
Infineon Technologies
FP75R12N2T4BOSA1
Infineon Technologies
FS100R06KE3BOSA1
Infineon Technologies
FS100R07N2E4BOSA1
Infineon Technologies
FS100R12KS4BOSA1
Infineon Technologies
FS100R12KT4BOSA1
Infineon Technologies
XC4005E-4PQ100C
Xilinx Inc.
XC7A15T-3CSG325E
Xilinx Inc.
A3P600-2PQG208I
Microsemi Corporation
M1A3P400-PQ208
Microsemi Corporation
EP4S40G2F40I3
Intel
EP4SGX530NF45I4N
Intel
5SGXEABK2H40I3LN
Intel
XA7A15T-1CSG324I
Xilinx Inc.
LFE2M50SE-6F484I
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SE80F780I4L
Intel