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codice articolo del costruttore | VS-GB200NH120N |
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Numero di parte futuro | FT-VS-GB200NH120N |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
VS-GB200NH120N Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo IGBT | - |
Configurazione | Single |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1200V |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 420A |
Potenza - Max | 1562W |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 1.8V @ 15V, 200A (Typ) |
Corrente - Limite del collettore (max) | 5mA |
Capacità di ingresso (Cies) @ Vce | 18nF @ 25V |
Ingresso | Standard |
Termistore NTC | No |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Chassis Mount |
Pacchetto / caso | Double INT-A-PAK (3 + 4) |
Pacchetto dispositivo fornitore | Double INT-A-PAK |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VS-GB200NH120N Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | VS-GB200NH120N-FT |
FP50R12KT4GB15BOSA1
Infineon Technologies
FP50R12KT4PBPSA1
Infineon Technologies
FP50R12N2T4B16BOSA1
Infineon Technologies
FP75R06KE3BOSA1
Infineon Technologies
FP75R07N2E4BOSA1
Infineon Technologies
FP75R12KT4B16BOSA1
Infineon Technologies
FP75R12N2T4B11BPSA1
Infineon Technologies
FP75R12N2T4B16BOSA1
Infineon Technologies
FP75R12N2T4BOSA1
Infineon Technologies
FS100R06KE3BOSA1
Infineon Technologies
XC2S200-5FG256I
Xilinx Inc.
XCKU035-2FBVA676E
Xilinx Inc.
XC4044XL-3HQ304C
Xilinx Inc.
XC6SLX150-N3FGG484C
Xilinx Inc.
5SGXEB6R3F43C4
Intel
5SGXEA9K3H40C2LN
Intel
LFXP10C-4FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S80B956C7
Intel
5SGXEA3H3F35I3L
Intel
5SGXMA3H2F35I3N
Intel