casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - IGBT - Moduli / APTGT200DH120G
codice articolo del costruttore | APTGT200DH120G |
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Numero di parte futuro | FT-APTGT200DH120G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
APTGT200DH120G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo IGBT | Trench Field Stop |
Configurazione | Asymmetrical Bridge |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1200V |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 280A |
Potenza - Max | 890W |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.1V @ 15V, 200A |
Corrente - Limite del collettore (max) | 350µA |
Capacità di ingresso (Cies) @ Vce | 14nF @ 25V |
Ingresso | Standard |
Termistore NTC | No |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Chassis Mount |
Pacchetto / caso | SP6 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SP6 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
APTGT200DH120G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | APTGT200DH120G-FT |
FS900R08A2P2B31BOSA1
Infineon Technologies
VS-GA200TH60S
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-GA300TD60S
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-GA400TD60S
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-GB100LH120N
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-GB100NH120N
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-GB100TH120N
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-GB100TH120U
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-GB150LH120N
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-GB150TH120N
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC2S150E-6FT256I
Xilinx Inc.
XC6SLX75-3FGG676I
Xilinx Inc.
EP3SL70F484C4N
Intel
EP4CGX110CF23C7
Intel
EP2AGX65DF25C6N
Intel
EP3SL110F1152C3
Intel
LFX200EB-04F256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFEC33E-4FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-150EA-9FN1156I
Lattice Semiconductor Corporation
5SGXMA3H3F35I4N
Intel