casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - IGBT - Moduli / VS-GB150LH120N
codice articolo del costruttore | VS-GB150LH120N |
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Numero di parte futuro | FT-VS-GB150LH120N |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
VS-GB150LH120N Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo IGBT | - |
Configurazione | Single |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1200V |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 300A |
Potenza - Max | 1389W |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 1.87V @ 15V, 150A (Typ) |
Corrente - Limite del collettore (max) | 1mA |
Capacità di ingresso (Cies) @ Vce | 10.6nF @ 25V |
Ingresso | Standard |
Termistore NTC | No |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Chassis Mount |
Pacchetto / caso | Double INT-A-PAK (3 + 4) |
Pacchetto dispositivo fornitore | Double INT-A-PAK |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VS-GB150LH120N Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | VS-GB150LH120N-FT |
FP50R06KE3BOSA1
Infineon Technologies
FP50R07N2E4BOSA1
Infineon Technologies
FP50R12KS4CBOSA1
Infineon Technologies
FP50R12KT4B16BOSA1
Infineon Technologies
FP50R12KT4GB15BOSA1
Infineon Technologies
FP50R12KT4PBPSA1
Infineon Technologies
FP50R12N2T4B16BOSA1
Infineon Technologies
FP75R06KE3BOSA1
Infineon Technologies
FP75R07N2E4BOSA1
Infineon Technologies
FP75R12KT4B16BOSA1
Infineon Technologies
LFEC3E-3TN144C
Lattice Semiconductor Corporation
XC7A75T-L2FGG676E
Xilinx Inc.
5CGXFC9D7F27C8N
Intel
5SGXMA7N3F45C3
Intel
5SGXMA9K2H40I2LN
Intel
5SGXEA4H3F35C3N
Intel
LFXP15E-4F256I
Lattice Semiconductor Corporation
5CGXFC5C6U19C7N
Intel
EP1C20F400C6N
Intel
EPF10K50SBC356-3
Intel