casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - IGBT - Moduli / VS-GB100TH120U
codice articolo del costruttore | VS-GB100TH120U |
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Numero di parte futuro | FT-VS-GB100TH120U |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
VS-GB100TH120U Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo IGBT | NPT |
Configurazione | Half Bridge |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1200V |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 200A |
Potenza - Max | 1136W |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 3.6V @ 15V, 100A |
Corrente - Limite del collettore (max) | 5mA |
Capacità di ingresso (Cies) @ Vce | 8.45nF @ 20V |
Ingresso | Standard |
Termistore NTC | No |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Chassis Mount |
Pacchetto / caso | Double INT-A-PAK (3 + 4) |
Pacchetto dispositivo fornitore | Double INT-A-PAK |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VS-GB100TH120U Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | VS-GB100TH120U-FT |
FP40R12KE3GBOSA1
Infineon Technologies
FP50R06KE3BOSA1
Infineon Technologies
FP50R07N2E4BOSA1
Infineon Technologies
FP50R12KS4CBOSA1
Infineon Technologies
FP50R12KT4B16BOSA1
Infineon Technologies
FP50R12KT4GB15BOSA1
Infineon Technologies
FP50R12KT4PBPSA1
Infineon Technologies
FP50R12N2T4B16BOSA1
Infineon Technologies
FP75R06KE3BOSA1
Infineon Technologies
FP75R07N2E4BOSA1
Infineon Technologies
A3PN030-Z2QNG68
Microsemi Corporation
XCS10-3TQ144C
Xilinx Inc.
LCMXO2-2000HE-6TG144I
Lattice Semiconductor Corporation
AGLE3000V5-FGG484
Microsemi Corporation
EPF6016ATC100-1
Intel
10CL006YU256I7G
Intel
EP3SE110F1152I4N
Intel
M1AFS1500-2FGG676I
Microsemi Corporation
LCMXO3L-4300C-5BG256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000ZE-2MG132I
Lattice Semiconductor Corporation