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Vishay Semiconductor Diodes Division VS-GB100TH120N
- Numero parte MFG
- VS-GB100TH120N
- quantità disponibile
- 22750 pezzi
- Prezzo di riferimento
- USD 285.889336
- Il nostro prezzo
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- Data di spedizione
- Oggi possiamo spedire
- fabbricante
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- Breve descrizione
- - IGBT 1200V 200A 833W INT-A-PAK
- Stato senza piombo / Stato RoHS
- Conformità RoHS (senza piombo)
- Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
- 1 (illimitato)
- Codice data (D / C)
- Nuovo
- categoria di prodotto
- Transistor - IGBT - Moduli
- Risorsa stock
- Distributore in franchising
- Garanzia
- 360 giorni di garanzia di qualità
- scheda dati
- VS-GB100TH120N.pdf
VS-GB100TH120N specificazioni
| codice articolo del costruttore | VS-GB100TH120N |
|---|---|
| Numero di parte futuro | FT-VS-GB100TH120N |
| SPQ / MOQ | Contattaci |
| Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
| serie | - |
| VS-GB100TH120N Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
| Stato parte | Active |
| Tipo IGBT | - |
| Configurazione | Half Bridge |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1200V |
| Corrente - Collector (Ic) (Max) | 200A |
| Potenza - Max | 833W |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.35V @ 15V, 100A |
| Corrente - Limite del collettore (max) | 5mA |
| Capacità di ingresso (Cies) @ Vce | 8.58nF @ 25V |
| Ingresso | Standard |
| Termistore NTC | No |
| temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Chassis Mount |
| Pacchetto / caso | Double INT-A-PAK (3 + 4) |
| Pacchetto dispositivo fornitore | Double INT-A-PAK |
| Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
| VS-GB100TH120N Peso | Contattaci |
| Numero parte di ricambio | VS-GB100TH120N-FT |
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