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Vishay Semiconductor Diodes Division VS-GB100TH120N

Name: VS-GB100TH120N
Brand: Vishay Semiconductor Diodes Division
SKU: VS-GB100TH120N
Price: 285.889336 USD
Availability: InStock
Rating: 4.8 (728 reviews)

Numero parte MFG: VS-GB100TH120N

quantità disponibile: 22750 pezzi

Prezzo di riferimento: USD 285.889336

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Data di spedizione: Oggi possiamo spedire

fabbricante: Vishay Semiconductor Diodes Division

Breve descrizione: - IGBT 1200V 200A 833W INT-A-PAK

Stato senza piombo / Stato RoHS: Conformità RoHS (senza piombo)

Livello di sensibilità all'umidità (MSL): 1 (illimitato)

Codice data (D / C): Nuovo

categoria di prodotto: Transistor - IGBT - Moduli

Risorsa stock: Distributore in franchising

Garanzia: 360 giorni di garanzia di qualità

scheda dati: VS-GB100TH120N.pdf

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VS-GB100TH120N specificazioni

codice articolo del costruttore	VS-GB100TH120N
Numero di parte futuro	FT-VS-GB100TH120N
SPQ / MOQ	Contattaci
Materiale di imballaggio	Reel/Tray/Tube/Others
serie	-
VS-GB100TH120N Stato (ciclo di vita)	Disponibile
Stato parte	Active
Tipo IGBT	-
Configurazione	Half Bridge
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	1200V
Corrente - Collector (Ic) (Max)	200A
Potenza - Max	833W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic	2.35V @ 15V, 100A
Corrente - Limite del collettore (max)	5mA
Capacità di ingresso (Cies) @ Vce	8.58nF @ 25V
Ingresso	Standard
Termistore NTC	No
temperatura di esercizio	150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Chassis Mount
Pacchetto / caso	Double INT-A-PAK (3 + 4)
Pacchetto dispositivo fornitore	Double INT-A-PAK
Paese d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
VS-GB100TH120N Peso	Contattaci
Numero parte di ricambio	VS-GB100TH120N-FT

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