casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - IGBT - Moduli / APTGLQ75H120T3G
codice articolo del costruttore | APTGLQ75H120T3G |
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Numero di parte futuro | FT-APTGLQ75H120T3G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
APTGLQ75H120T3G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo IGBT | Trench Field Stop |
Configurazione | Full Bridge |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1200V |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 130A |
Potenza - Max | 385W |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.4V @ 15V, 75A |
Corrente - Limite del collettore (max) | 50µA |
Capacità di ingresso (Cies) @ Vce | 4.4nF @ 25V |
Ingresso | Standard |
Termistore NTC | Yes |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | SP1 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SP1 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
APTGLQ75H120T3G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | APTGLQ75H120T3G-FT |
FF900R12IE4BOSA1
Infineon Technologies
FP50R07N2E4B11BOSA1
Infineon Technologies
FP75R17N3E4BPSA1
Infineon Technologies
FS100R07N2E4B11BOSA1
Infineon Technologies
FS100R17KS4F
Infineon Technologies
FS75R07N2E4B11BOSA1
Infineon Technologies
VS-GB100LP120N
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-GB100TP120N
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-GB50LP120N
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-GB50TP120N
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC6SLX100-N3CSG484I
Xilinx Inc.
LFE2-12E-7Q208C
Lattice Semiconductor Corporation
A3P400-FG256I
Microsemi Corporation
A3P600-PQ208I
Microsemi Corporation
LCMXO3LF-4300E-5UWG81ITR50
Lattice Semiconductor Corporation
AT40K20-2DQI
Microchip Technology
5SGXMABN3F45C3N
Intel
LFE2M35SE-6FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO3LF-640E-6MG121C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SL110F780C4N
Intel