casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - IGBT - Moduli / FP50R07N2E4B11BOSA1
codice articolo del costruttore | FP50R07N2E4B11BOSA1 |
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Numero di parte futuro | FT-FP50R07N2E4B11BOSA1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
FP50R07N2E4B11BOSA1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo IGBT | Trench Field Stop |
Configurazione | Three Phase Inverter |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 650V |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 70A |
Potenza - Max | - |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 1.95V @ 15V, 50A |
Corrente - Limite del collettore (max) | 1mA |
Capacità di ingresso (Cies) @ Vce | 3.1nF @ 25V |
Ingresso | Standard |
Termistore NTC | Yes |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 150°C |
Tipo di montaggio | Chassis Mount |
Pacchetto / caso | Module |
Pacchetto dispositivo fornitore | Module |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FP50R07N2E4B11BOSA1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | FP50R07N2E4B11BOSA1-FT |
FF600R12IE4VBOSA1
Infineon Technologies
FF600R12IP4VBOSA1
Infineon Technologies
FF600R12IS4F
Infineon Technologies
FF650R17IE4DB2BOSA1
Infineon Technologies
FF650R17IE4DPB2BOSA1
Infineon Technologies
FF650R17IE4PBOSA1
Infineon Technologies
FF650R17IE4VBOSA1
Infineon Technologies
FF900R12IE4PBOSA1
Infineon Technologies
FF900R12IE4VBOSA1
Infineon Technologies
FF900R12IE4VPBOSA1
Infineon Technologies
LFE2-6SE-6T144I
Lattice Semiconductor Corporation
XC3S50-4PQG208C
Xilinx Inc.
LFE5U-85F-6BG381C
Lattice Semiconductor Corporation
AGL030V5-VQG100I
Microsemi Corporation
5SGSMD5K1F40I2N
Intel
5SGXMB6R3F40I4N
Intel
XC4VLX25-11FFG676C
Xilinx Inc.
LCMXO2-4000HC-5FG484I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640E-3B256I
Lattice Semiconductor Corporation
5CGXFC4C6M13C6N
Intel