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Microsemi Corporation APTCV50H60T3G
- Numero parte MFG
- APTCV50H60T3G
- quantità disponibile
- 43260 pezzi
- Prezzo di riferimento
- USD 40.094
- Il nostro prezzo
- Abbiamo un grande sconto, non esitate a contattarci
- Data di spedizione
- Oggi possiamo spedire
- fabbricante
- Microsemi Corporation
- Breve descrizione
- - IGBT TRENCH FULL BRIDGE SP3
- Stato senza piombo / Stato RoHS
- Conformità RoHS (senza piombo)
- Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
- 1 (illimitato)
- Codice data (D / C)
- Nuovo
- categoria di prodotto
- Transistor - IGBT - Moduli
- Risorsa stock
- Distributore in franchising
- Garanzia
- 360 giorni di garanzia di qualità
- scheda dati
- APTCV50H60T3G.pdf
APTCV50H60T3G specificazioni
| codice articolo del costruttore | APTCV50H60T3G |
|---|---|
| Numero di parte futuro | FT-APTCV50H60T3G |
| SPQ / MOQ | Contattaci |
| Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
| serie | - |
| APTCV50H60T3G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
| Stato parte | Active |
| Tipo IGBT | NPT, Trench Field Stop |
| Configurazione | Full Bridge |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 600V |
| Corrente - Collector (Ic) (Max) | 80A |
| Potenza - Max | 176W |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 1.9V @ 15V, 50A |
| Corrente - Limite del collettore (max) | 250µA |
| Capacità di ingresso (Cies) @ Vce | 3.15nF @ 25V |
| Ingresso | Standard |
| Termistore NTC | Yes |
| temperatura di esercizio | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Chassis Mount |
| Pacchetto / caso | SP3 |
| Pacchetto dispositivo fornitore | SP3 |
| Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
| APTCV50H60T3G Peso | Contattaci |
| Numero parte di ricambio | APTCV50H60T3G-FT |
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