casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - IGBT - Moduli / FS200R06KE3BOSA1
codice articolo del costruttore | FS200R06KE3BOSA1 |
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Numero di parte futuro | FT-FS200R06KE3BOSA1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
FS200R06KE3BOSA1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo IGBT | Trench Field Stop |
Configurazione | Three Phase Inverter |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 600V |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 200A |
Potenza - Max | 600W |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 1.9V @ 15V, 200A |
Corrente - Limite del collettore (max) | 1mA |
Capacità di ingresso (Cies) @ Vce | 13nF @ 25V |
Ingresso | Standard |
Termistore NTC | Yes |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 150°C |
Tipo di montaggio | Chassis Mount |
Pacchetto / caso | Module |
Pacchetto dispositivo fornitore | Module |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FS200R06KE3BOSA1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | FS200R06KE3BOSA1-FT |
F4100R17ME4B11BPSA1
Infineon Technologies
F4150R17ME4B11BPSA1
Infineon Technologies
F4250R17MP4B11BPSA1
Infineon Technologies
FF150R12MS4GBOSA1
Infineon Technologies
FF225R17ME4B11BOSA1
Infineon Technologies
FF225R17ME4BOSA1
Infineon Technologies
FF600R17ME4B11BOSA1
Infineon Technologies
FF600R17ME4PB11BOSA1
Infineon Technologies
FF600R17ME4PBOSA1
Infineon Technologies
FS150R17PE4BOSA1
Infineon Technologies
A1425A-1PQG100I
Microsemi Corporation
XC7S100-L1FGGA676I
Xilinx Inc.
A3P125-PQG208I
Microsemi Corporation
MPF500T-FCG1152E
Microsemi Corporation
EP20K200EFC484-2XN
Intel
EP4SGX290NF45I3N
Intel
XC7K70T-L2FBG484E
Xilinx Inc.
LCMXO1200C-3MN132C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-95EA-7FN672I
Lattice Semiconductor Corporation
EP3CLS150F780C7N
Intel