casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - IGBT - Moduli / FS25R12KT3BOSA1
codice articolo del costruttore | FS25R12KT3BOSA1 |
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Numero di parte futuro | FT-FS25R12KT3BOSA1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | EconoPACK™ 2 |
FS25R12KT3BOSA1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo IGBT | Trench Field Stop |
Configurazione | Full Bridge |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1200V |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 40A |
Potenza - Max | 145W |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.15V @ 15V, 25A |
Corrente - Limite del collettore (max) | 5mA |
Capacità di ingresso (Cies) @ Vce | 1.8nF @ 25V |
Ingresso | Standard |
Termistore NTC | Yes |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 125°C |
Tipo di montaggio | Chassis Mount |
Pacchetto / caso | Module |
Pacchetto dispositivo fornitore | Module |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FS25R12KT3BOSA1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | FS25R12KT3BOSA1-FT |
FF225R17ME4BOSA1
Infineon Technologies
FF600R17ME4B11BOSA1
Infineon Technologies
FF600R17ME4PB11BOSA1
Infineon Technologies
FF600R17ME4PBOSA1
Infineon Technologies
FS150R17PE4BOSA1
Infineon Technologies
FS300R17OE4BOSA1
Infineon Technologies
FS300R17OE4PBOSA1
Infineon Technologies
FS450R17OE4BOSA1
Infineon Technologies
FZ1600R12HP4HOSA2
Infineon Technologies
FZ1800R12HP4B9HOSA2
Infineon Technologies
XC6SLX150-3FG900C
Xilinx Inc.
A54SX72A-CQ256
Microsemi Corporation
A54SX32A-PQ208M
Microsemi Corporation
EP4CE10F17C8
Intel
5SGXMA3E1H29C2LN
Intel
10CL010ZE144I8G
Intel
XC5VLX220T-2FFG1738C
Xilinx Inc.
A42MX24-3PQG160
Microsemi Corporation
A42MX16-PQ100
Microsemi Corporation
EP3SL50F780I3
Intel