casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - IGBT - Moduli / FS25R12KT3BOSA1
codice articolo del costruttore | FS25R12KT3BOSA1 |
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Numero di parte futuro | FT-FS25R12KT3BOSA1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | EconoPACK™ 2 |
FS25R12KT3BOSA1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo IGBT | Trench Field Stop |
Configurazione | Full Bridge |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1200V |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 40A |
Potenza - Max | 145W |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.15V @ 15V, 25A |
Corrente - Limite del collettore (max) | 5mA |
Capacità di ingresso (Cies) @ Vce | 1.8nF @ 25V |
Ingresso | Standard |
Termistore NTC | Yes |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 125°C |
Tipo di montaggio | Chassis Mount |
Pacchetto / caso | Module |
Pacchetto dispositivo fornitore | Module |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FS25R12KT3BOSA1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | FS25R12KT3BOSA1-FT |
FF225R17ME4BOSA1
Infineon Technologies
FF600R17ME4B11BOSA1
Infineon Technologies
FF600R17ME4PB11BOSA1
Infineon Technologies
FF600R17ME4PBOSA1
Infineon Technologies
FS150R17PE4BOSA1
Infineon Technologies
FS300R17OE4BOSA1
Infineon Technologies
FS300R17OE4PBOSA1
Infineon Technologies
FS450R17OE4BOSA1
Infineon Technologies
FZ1600R12HP4HOSA2
Infineon Technologies
FZ1800R12HP4B9HOSA2
Infineon Technologies
XCV300E-6FG256C
Xilinx Inc.
XC7S6-1FTGB196I
Xilinx Inc.
AFS250-1FG256
Microsemi Corporation
A3PE1500-2PQG208
Microsemi Corporation
EP3C25U256C6
Intel
5AGXBA7D4F27C5N
Intel
5SGXEA7K2F35I2L
Intel
AX1000-2FGG676
Microsemi Corporation
LCMXO2-2000UHC-4FG484I
Lattice Semiconductor Corporation
EP4CGX30CF19C6N
Intel