casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - IGBT - Moduli / FS200R07N3E4RB11BOSA1
codice articolo del costruttore | FS200R07N3E4RB11BOSA1 |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-FS200R07N3E4RB11BOSA1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
FS200R07N3E4RB11BOSA1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo IGBT | Trench Field Stop |
Configurazione | Three Phase Inverter |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 650V |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 200A |
Potenza - Max | 600W |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 1.95V @ 15V, 200A |
Corrente - Limite del collettore (max) | 1mA |
Capacità di ingresso (Cies) @ Vce | 13nF @ 25V |
Ingresso | Standard |
Termistore NTC | Yes |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 150°C |
Tipo di montaggio | Chassis Mount |
Pacchetto / caso | Module |
Pacchetto dispositivo fornitore | Module |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FS200R07N3E4RB11BOSA1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | FS200R07N3E4RB11BOSA1-FT |
F4150R17ME4B11BPSA1
Infineon Technologies
F4250R17MP4B11BPSA1
Infineon Technologies
FF150R12MS4GBOSA1
Infineon Technologies
FF225R17ME4B11BOSA1
Infineon Technologies
FF225R17ME4BOSA1
Infineon Technologies
FF600R17ME4B11BOSA1
Infineon Technologies
FF600R17ME4PB11BOSA1
Infineon Technologies
FF600R17ME4PBOSA1
Infineon Technologies
FS150R17PE4BOSA1
Infineon Technologies
FS300R17OE4BOSA1
Infineon Technologies
XC6SLX150-3FG900C
Xilinx Inc.
A54SX72A-CQ256
Microsemi Corporation
A54SX32A-PQ208M
Microsemi Corporation
EP4CE10F17C8
Intel
5SGXMA3E1H29C2LN
Intel
10CL010ZE144I8G
Intel
XC5VLX220T-2FFG1738C
Xilinx Inc.
A42MX24-3PQG160
Microsemi Corporation
A42MX16-PQ100
Microsemi Corporation
EP3SL50F780I3
Intel