casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / APT44F80B2
codice articolo del costruttore | APT44F80B2 |
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Numero di parte futuro | FT-APT44F80B2 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | POWER MOS 8™ |
APT44F80B2 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 800V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 47A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 210 mOhm @ 24A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 2.5mA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 305nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±30V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 9330pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 1135W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | T-MAX™ [B2] |
Pacchetto / caso | TO-247-3 Variant |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
APT44F80B2 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | APT44F80B2-FT |
APT29F100L
Microsemi Corporation
APT40M70LVFRG
Microsemi Corporation
APT41M80L
Microsemi Corporation
APT60M75L2FLLG
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APT60M75L2LLG
Microsemi Corporation
APT60M80L2VRG
Microsemi Corporation
APT8024LLLG
Microsemi Corporation
APT8024LVRG
Microsemi Corporation
APT84F50L
Microsemi Corporation
APT7M120B
Microsemi Corporation
LCMXO2-640HC-4SG48C
Lattice Semiconductor Corporation
A54SX32A-1TQG144
Microsemi Corporation
XC6SLX75T-4FGG484C
Xilinx Inc.
A3P600L-1FGG484
Microsemi Corporation
MPF300T-FCG1152E
Microsemi Corporation
A40MX04-FPL68
Microsemi Corporation
AGLN250V5-VQ100I
Microsemi Corporation
5SGXMA7N2F45C3N
Intel
LFXP6E-3Q208C
Lattice Semiconductor Corporation
5SGSMD4H3F35C4N
Intel