casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / APT41M80L
codice articolo del costruttore | APT41M80L |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-APT41M80L |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | POWER MOS 8™ |
APT41M80L Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 800V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 43A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 210 mOhm @ 20A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 2.5mA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 260nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±30V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 8070pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 1040W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-264 [L] |
Pacchetto / caso | TO-264-3, TO-264AA |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
APT41M80L Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | APT41M80L-FT |
PMV42ENER
Nexperia USA Inc.
PMV450ENEAR
Nexperia USA Inc.
PMV48XP/MIR
Nexperia USA Inc.
PMV50ENEAR
Nexperia USA Inc.
PMV55ENEAR
Nexperia USA Inc.
PMV65ENEAR
Nexperia USA Inc.
PMV65UNEAR
Nexperia USA Inc.
PMV65XP/MIR
Nexperia USA Inc.
PMV65XPER
Nexperia USA Inc.
PMV90ENER
Nexperia USA Inc.
A3PE600-1PQG208I
Microsemi Corporation
AT6002-4AC
Microchip Technology
5SGSED8K3F40I4N
Intel
5SGXEB5R1F40I2N
Intel
5SGXMA3K3F40C2N
Intel
EP3SE260F1517C2N
Intel
LFE2-20SE-5FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-70EA-8LFN672I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115U2F45I2SGE2
Intel
5CGXFC9E7F35C8N
Intel