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Microsemi Corporation APT60M80L2VRG

Numero parte MFG
APT60M80L2VRG
quantità disponibile
95790 pezzi
Prezzo di riferimento
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fabbricante
Microsemi Corporation
Breve descrizione
POWER MOS V® MOSFET N-CH 600V 65A TO-264MAX
Stato senza piombo / Stato RoHS
Conformità RoHS (senza piombo)
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (illimitato)
Codice data (D / C)
Nuovo
categoria di prodotto
Transistor - FET, MOSFETs - Single
Risorsa stock
Distributore in franchising
Garanzia
360 giorni di garanzia di qualità
scheda dati
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APT60M80L2VRG specificazioni

codice articolo del costruttore APT60M80L2VRG
Numero di parte futuro FT-APT60M80L2VRG
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Materiale di imballaggio Reel/Tray/Tube/Others
serie POWER MOS V®
APT60M80L2VRG Stato (ciclo di vita) Disponibile
Stato parte Active
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 600V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 65A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 80 mOhm @ 32.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 5mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 590nC @ 10V
Vgs (massimo) ±30V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 13300pF @ 25V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 833W (Tc)
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore 264 MAX™ [L2]
Pacchetto / caso TO-264-3, TO-264AA
Paese d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
APT60M80L2VRG Peso Contattaci
Numero parte di ricambio APT60M80L2VRG-FT

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