casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / APT60M75L2LLG
codice articolo del costruttore | APT60M75L2LLG |
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Numero di parte futuro | FT-APT60M75L2LLG |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | POWER MOS 7® |
APT60M75L2LLG Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 600V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 73A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 75 mOhm @ 36.5A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 5mA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 195nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±30V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 8930pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 893W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | 264 MAX™ [L2] |
Pacchetto / caso | TO-264-3, TO-264AA |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
APT60M75L2LLG Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | APT60M75L2LLG-FT |
PMV48XP/MIR
Nexperia USA Inc.
PMV50ENEAR
Nexperia USA Inc.
PMV55ENEAR
Nexperia USA Inc.
PMV65ENEAR
Nexperia USA Inc.
PMV65UNEAR
Nexperia USA Inc.
PMV65XP/MIR
Nexperia USA Inc.
PMV65XPER
Nexperia USA Inc.
PMV90ENER
Nexperia USA Inc.
SI2304DS,215
Nexperia USA Inc.
PSMN1R2-25YL,115
Nexperia USA Inc.
A3P030-2QNG68I
Microsemi Corporation
A1425A-1PQ100I
Microsemi Corporation
XC4052XL-09HQ304C
Xilinx Inc.
A3P125-2PQ208I
Microsemi Corporation
A3P250L-VQG100I
Microsemi Corporation
EP3CLS100F484C7
Intel
EP2AGX125DF25C4N
Intel
EP2AGX65DF25C5
Intel
5CEBA5U19C8N
Intel
EP1C20F324I7N
Intel