casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / APT10M07JVR
codice articolo del costruttore | APT10M07JVR |
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Numero di parte futuro | FT-APT10M07JVR |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | POWER MOS V® |
APT10M07JVR Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 225A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | - |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 5mA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 1050nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±30V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 21600pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 700W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Chassis Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | ISOTOP® |
Pacchetto / caso | SOT-227-4, miniBLOC |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
APT10M07JVR Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | APT10M07JVR-FT |
APT94N65B2C3G
Microsemi Corporation
APT94N65B2C6
Microsemi Corporation
APL602B2G
Microsemi Corporation
APT26F120B2
Microsemi Corporation
APT34F100B2
Microsemi Corporation
APT75F50B2
Microsemi Corporation
APT28M120B2
Microsemi Corporation
APT43M60B2
Microsemi Corporation
APT56M50B2
Microsemi Corporation
APT56M60B2
Microsemi Corporation
XCVU095-2FFVD1517I
Xilinx Inc.
AGL1000V2-FG256T
Microsemi Corporation
A42MX24-2PQ208I
Microsemi Corporation
ICE5LP4K-SWG36ITR
Lattice Semiconductor Corporation
A42MX09-1VQ100
Microsemi Corporation
10CL016YU256I7G
Intel
EP3C10F256I7
Intel
LCMXO2-7000HE-6FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066K1F35E1SG
Intel
EP2AGX65CU17C4
Intel