casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / APT10M07JVR
codice articolo del costruttore | APT10M07JVR |
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Numero di parte futuro | FT-APT10M07JVR |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | POWER MOS V® |
APT10M07JVR Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 225A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | - |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 5mA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 1050nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±30V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 21600pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 700W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Chassis Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | ISOTOP® |
Pacchetto / caso | SOT-227-4, miniBLOC |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
APT10M07JVR Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | APT10M07JVR-FT |
APT94N65B2C3G
Microsemi Corporation
APT94N65B2C6
Microsemi Corporation
APL602B2G
Microsemi Corporation
APT26F120B2
Microsemi Corporation
APT34F100B2
Microsemi Corporation
APT75F50B2
Microsemi Corporation
APT28M120B2
Microsemi Corporation
APT43M60B2
Microsemi Corporation
APT56M50B2
Microsemi Corporation
APT56M60B2
Microsemi Corporation
XC3S500E-4PQ208I
Xilinx Inc.
5SGSMD5K2F40C2L
Intel
LCMXO2-7000HC-4BG332C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-7000HE-4BG332C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-95EA-6FN672I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-35EA-8FN484I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO3L-4300E-6MG121I
Lattice Semiconductor Corporation
5CEFA4U19A7N
Intel
EPF10K20RC240-3N
Intel
EP20K1000EFC33-3
Intel