casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / APT56M50B2
codice articolo del costruttore | APT56M50B2 |
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Numero di parte futuro | FT-APT56M50B2 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
APT56M50B2 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 500V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 56A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 100 mOhm @ 28A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 2.5mA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 220nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±30V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 8800pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 780W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | T-MAX™ |
Pacchetto / caso | TO-247-3 Variant |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
APT56M50B2 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | APT56M50B2-FT |
APT48M80L
Microsemi Corporation
APT56M50L
Microsemi Corporation
APT75M50L
Microsemi Corporation
APT6017LFLLG
Microsemi Corporation
APT22F120L
Microsemi Corporation
APT26F120L
Microsemi Corporation
APT29F100L
Microsemi Corporation
APT40M70LVFRG
Microsemi Corporation
APT41M80L
Microsemi Corporation
APT60M75L2FLLG
Microsemi Corporation
XC2S200-5FGG456I
Xilinx Inc.
AX1000-2FGG484
Microsemi Corporation
LCMXO640E-5FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S20F672I7
Intel
XC7VX980T-1FFG1930C
Xilinx Inc.
A42MX16-PQG160I
Microsemi Corporation
LFE2-50E-6F484I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO3L-2100C-5BG256I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-35EA-7FN672I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX057K4F40I3SG
Intel