casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / APT43M60B2
codice articolo del costruttore | APT43M60B2 |
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Numero di parte futuro | FT-APT43M60B2 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | POWER MOS 8™ |
APT43M60B2 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 600V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 45A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 150 mOhm @ 21A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 2.5mA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 215nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±30V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 8590pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 780W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | T-MAX™ [B2] |
Pacchetto / caso | TO-247-3 Variant |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
APT43M60B2 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | APT43M60B2-FT |
APT37M100L
Microsemi Corporation
APT48M80L
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APT75M50L
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A3PN015-1QNG68I
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A1415A-PQ100I
Microsemi Corporation
M2GL025S-1VF400I
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A10V20B-PL68C
Microsemi Corporation
EP4S100G3F45I3N
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XC4028XL-09HQ208C
Xilinx Inc.
XC2VP2-6FFG672C
Xilinx Inc.
LCMXO640E-3MN100C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SE80F780C4
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EPF10K30AQC208-1N
Intel