casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / APT94N65B2C6
codice articolo del costruttore | APT94N65B2C6 |
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Numero di parte futuro | FT-APT94N65B2C6 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
APT94N65B2C6 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 650V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 95A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 35 mOhm @ 35.2A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 3.5mA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 320nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 8140pF @ 25V |
Caratteristica FET | Super Junction |
Dissipazione di potenza (max) | 833W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | T-MAX™ [B2] |
Pacchetto / caso | TO-247-3 Variant |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
APT94N65B2C6 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | APT94N65B2C6-FT |
APT56F60L
Microsemi Corporation
APT66F60L
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APT84M50L
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APT24M120L
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APT56M60L
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