casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / APT94N65B2C6
codice articolo del costruttore | APT94N65B2C6 |
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Numero di parte futuro | FT-APT94N65B2C6 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
APT94N65B2C6 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 650V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 95A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 35 mOhm @ 35.2A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 3.5mA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 320nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 8140pF @ 25V |
Caratteristica FET | Super Junction |
Dissipazione di potenza (max) | 833W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | T-MAX™ [B2] |
Pacchetto / caso | TO-247-3 Variant |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
APT94N65B2C6 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | APT94N65B2C6-FT |
APT56F60L
Microsemi Corporation
APT66F60L
Microsemi Corporation
APT84M50L
Microsemi Corporation
APT24M120L
Microsemi Corporation
APT56M60L
Microsemi Corporation
APT66M60L
Microsemi Corporation
APT37M100L
Microsemi Corporation
APT48M80L
Microsemi Corporation
APT56M50L
Microsemi Corporation
APT75M50L
Microsemi Corporation
LCMXO2-7000HE-6TG144I
Lattice Semiconductor Corporation
XC6SLX25-N3FGG484I
Xilinx Inc.
M2GL090T-FG484
Microsemi Corporation
M7A3P1000-PQ208
Microsemi Corporation
5SGXEB5R3F43C3N
Intel
XC4VFX40-10FF1152I
Xilinx Inc.
A40MX04-1PLG84M
Microsemi Corporation
A42MX16-2PL84I
Microsemi Corporation
LFXP2-30E-7FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
5CGXFC4C6U19I7N
Intel