casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / APT10035B2LLG
codice articolo del costruttore | APT10035B2LLG |
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Numero di parte futuro | FT-APT10035B2LLG |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | POWER MOS 7® |
APT10035B2LLG Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 1000V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 28A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 350 mOhm @ 14A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 2.5mA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 186nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±30V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 5185pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 690W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | T-MAX™ [B2] |
Pacchetto / caso | TO-247-3 Variant |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
APT10035B2LLG Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | APT10035B2LLG-FT |
APT40M70LVFRG
Microsemi Corporation
APT41M80L
Microsemi Corporation
APT60M75L2FLLG
Microsemi Corporation
APT60M75L2LLG
Microsemi Corporation
APT60M80L2VRG
Microsemi Corporation
APT8024LLLG
Microsemi Corporation
APT8024LVRG
Microsemi Corporation
APT84F50L
Microsemi Corporation
APT7M120B
Microsemi Corporation
APT60N60BCSG
Microsemi Corporation
LFXP6E-4T144I
Lattice Semiconductor Corporation
XC6SLX16-N3FTG256C
Xilinx Inc.
AGLE3000V5-FG484
Microsemi Corporation
M1A3P250-1PQG208I
Microsemi Corporation
EP3C80F484C7N
Intel
10M50SCE144C8G
Intel
LCMXO2-7000HC-4BG256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S80F1508C6
Intel
EPF8282ALC84-4
Intel
EPF10K130EQC240-3N
Intel