casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / AOWF12N65
codice articolo del costruttore | AOWF12N65 |
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Numero di parte futuro | FT-AOWF12N65 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
AOWF12N65 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 650V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 12A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 720 mOhm @ 6A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4.5V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 48nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±30V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 2150pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 28W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | - |
Pacchetto / caso | TO-262-3 Full Pack, I²Pak |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
AOWF12N65 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | AOWF12N65-FT |
ZXMN10A11GTC
Diodes Incorporated
ZXMN6A11GTC
Diodes Incorporated
ZXMN6A25G
Diodes Incorporated
ZXMP10A17GTA
Diodes Incorporated
DMG6402LVT-7
Diodes Incorporated
DMN4060SVT-7
Diodes Incorporated
DMN6040SVTQ-7
Diodes Incorporated
DMN1019UVT-7
Diodes Incorporated
DMN10H170SVTQ-7
Diodes Incorporated
DMP3050LVT-7
Diodes Incorporated
LFXP3C-3TN100C
Lattice Semiconductor Corporation
XC2V4000-5FF1517I
Xilinx Inc.
A54SX72A-FGG256
Microsemi Corporation
M2GL025TS-VFG256
Microsemi Corporation
EP4CGX30CF23I7
Intel
5SGSED8N3F45I3LN
Intel
5SGXEB5R1F43I2N
Intel
AGL1000V5-FGG144I
Microsemi Corporation
LFE2M70SE-6FN900I
Lattice Semiconductor Corporation
EP4SGX70HF35C2G
Intel