casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / AOWF12N60
codice articolo del costruttore | AOWF12N60 |
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Numero di parte futuro | FT-AOWF12N60 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
AOWF12N60 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 600V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 12A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 550 mOhm @ 6A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4.5V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 50nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±30V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 2100pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 28W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | - |
Pacchetto / caso | TO-262-3 Full Pack, I²Pak |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
AOWF12N60 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | AOWF12N60-FT |
ZXM64P035GTA
Diodes Incorporated
ZXMN10A11GTC
Diodes Incorporated
ZXMN6A11GTC
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XC4005E-2TQ144I
Xilinx Inc.
M1A3P400-2PQ208
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M2GL050-VFG400I
Microsemi Corporation
5SGSMD4K2F40I3LN
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5SGXMABN2F45I3N
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5SGXMB6R2F43C3N
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EP3SE260F1152I4N
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LFEC1E-3Q208C
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