casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFET - Array / AON5802B
codice articolo del costruttore | AON5802B |
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Numero di parte futuro | FT-AON5802B |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
AON5802B Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) Common Drain |
Caratteristica FET | Logic Level Gate |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 7.2A |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 19 mOhm @ 7A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 24nC @ 10V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1150pF @ 15V |
Potenza - Max | 1.6W |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 6-SMD, Flat Lead Exposed Pad |
Pacchetto dispositivo fornitore | 6-DFN-EP (2x5) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
AON5802B Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | AON5802B-FT |
FDMS3622S
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Xilinx Inc.
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A1010B-2PLG44I
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Xilinx Inc.
5AGXMB3G4F35I5G
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EP1C6Q240C8
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