casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFET - Array / AON5802B
codice articolo del costruttore | AON5802B |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-AON5802B |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
AON5802B Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) Common Drain |
Caratteristica FET | Logic Level Gate |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 7.2A |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 19 mOhm @ 7A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 24nC @ 10V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1150pF @ 15V |
Potenza - Max | 1.6W |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 6-SMD, Flat Lead Exposed Pad |
Pacchetto dispositivo fornitore | 6-DFN-EP (2x5) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
AON5802B Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | AON5802B-FT |
FDMS3622S
ON Semiconductor
FDMS3620S
ON Semiconductor
FDMS3669S
ON Semiconductor
FDMS3668S
ON Semiconductor
FDMS3660S
ON Semiconductor
FDMS3602AS
ON Semiconductor
FDMS3604S
ON Semiconductor
FDMS3606S
ON Semiconductor
FDMS3660AS
ON Semiconductor
FDMS3664S
ON Semiconductor
XC6SLX150T-N3FG900C
Xilinx Inc.
XC7S50-1FGGA484I
Xilinx Inc.
AFS600-1FG484I
Microsemi Corporation
LFE2-70E-6FN900I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2C50U484C8
Intel
EP2AGZ225HF40C4N
Intel
EP1M350F780I6N
Intel
XC7K325T-1FB676C
Xilinx Inc.
M2GL090-FGG676
Microsemi Corporation
EP1C20F400C8N
Intel