casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFET - Array / FDMS3660AS
codice articolo del costruttore | FDMS3660AS |
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Numero di parte futuro | FT-FDMS3660AS |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | PowerTrench® |
FDMS3660AS Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) |
Caratteristica FET | Logic Level Gate |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 13A, 30A |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8 mOhm @ 13A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.7V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 30nC @ 10V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 2230pF @ 15V |
Potenza - Max | 1W |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 8-PowerTDFN |
Pacchetto dispositivo fornitore | Power56 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FDMS3660AS Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | FDMS3660AS-FT |
APTM100A13SCG
Microsemi Corporation
APTJC120AM25VCT1AG
Microsemi Corporation
APTMC120AM16CD3AG
Microsemi Corporation
APTMC120TAM33CTPAG
Microsemi Corporation
APTC60TAM24TPG
Microsemi Corporation
APTC60HM83FT2G
Microsemi Corporation
APTC60HM70RT3G
Microsemi Corporation
APTC60HM35T3G
Microsemi Corporation
APTC60DDAM35T3G
Microsemi Corporation
APTC60BBM24T3G
Microsemi Corporation
A1425A-VQ100C
Microsemi Corporation
EP3SE260F1517C4L
Intel
5SGXEA9N1F45I2N
Intel
XC7S50-2CSGA324I
Xilinx Inc.
A42MX16-FPQ100
Microsemi Corporation
LFEC6E-3QN208I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO1200E-5B256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP4CE75F29I8LN
Intel
EP1K30QC208-3
Intel
EP4SGX290FF35C3N
Intel