casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFET - Array / FDMS3660AS
codice articolo del costruttore | FDMS3660AS |
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Numero di parte futuro | FT-FDMS3660AS |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | PowerTrench® |
FDMS3660AS Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) |
Caratteristica FET | Logic Level Gate |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 13A, 30A |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8 mOhm @ 13A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.7V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 30nC @ 10V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 2230pF @ 15V |
Potenza - Max | 1W |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 8-PowerTDFN |
Pacchetto dispositivo fornitore | Power56 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FDMS3660AS Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | FDMS3660AS-FT |
APTM100A13SCG
Microsemi Corporation
APTJC120AM25VCT1AG
Microsemi Corporation
APTMC120AM16CD3AG
Microsemi Corporation
APTMC120TAM33CTPAG
Microsemi Corporation
APTC60TAM24TPG
Microsemi Corporation
APTC60HM83FT2G
Microsemi Corporation
APTC60HM70RT3G
Microsemi Corporation
APTC60HM35T3G
Microsemi Corporation
APTC60DDAM35T3G
Microsemi Corporation
APTC60BBM24T3G
Microsemi Corporation
XCS10-4TQ144C
Xilinx Inc.
EP3C40F484C7
Intel
5SGSMD3E2H29C2N
Intel
XC5VLX50T-1FF665C
Xilinx Inc.
XC7VX690T-2FFG1761C
Xilinx Inc.
XC7A35T-L2CPG236E
Xilinx Inc.
LFE2M20SE-6F484C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO3LF-6900C-5BG256I
Lattice Semiconductor Corporation
5CEFA2F23C7N
Intel
EPF10K100EQC208-2X
Intel