casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFET - Array / FDMS3664S
codice articolo del costruttore | FDMS3664S |
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Numero di parte futuro | FT-FDMS3664S |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | PowerTrench® |
FDMS3664S Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical |
Caratteristica FET | Logic Level Gate |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 13A, 25A |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8 mOhm @ 13A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.7V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 29nC @ 10V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1765pF @ 15V |
Potenza - Max | 1W |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 8-PowerTDFN |
Pacchetto dispositivo fornitore | Power56 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FDMS3664S Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | FDMS3664S-FT |
APTJC120AM25VCT1AG
Microsemi Corporation
APTMC120AM16CD3AG
Microsemi Corporation
APTMC120TAM33CTPAG
Microsemi Corporation
APTC60TAM24TPG
Microsemi Corporation
APTC60HM83FT2G
Microsemi Corporation
APTC60HM70RT3G
Microsemi Corporation
APTC60HM35T3G
Microsemi Corporation
APTC60DDAM35T3G
Microsemi Corporation
APTC60BBM24T3G
Microsemi Corporation
APTC60AM45B1G
Microsemi Corporation
A54SX32A-2TQ176I
Microsemi Corporation
A54SX16A-PQ208A
Microsemi Corporation
M2GL010TS-1VFG400I
Microsemi Corporation
A42MX16-VQG100
Microsemi Corporation
EP1C6F256C6
Intel
5SGSMD3E2H29I3L
Intel
EP2AGX125DF25I5N
Intel
5SGXMA9N2F45C2N
Intel
XC7K410T-2FB900I
Xilinx Inc.
EP1S25F1020C6
Intel