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ON Semiconductor FDMS3660S

Numero parte MFG
FDMS3660S
quantità disponibile
92010 pezzi
Prezzo di riferimento
USD 0.416784
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Data di spedizione
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fabbricante
ON Semiconductor
Breve descrizione
PowerTrench® MOSFET 2N-CH 30V 13A/30A 8-PQFN
Stato senza piombo / Stato RoHS
Conformità RoHS (senza piombo)
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (illimitato)
Codice data (D / C)
Nuovo
categoria di prodotto
Transistor - FET, MOSFET - Array
Risorsa stock
Distributore in franchising
Garanzia
360 giorni di garanzia di qualità
scheda dati
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FDMS3660S specificazioni

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Numero di parte futuro FT-FDMS3660S
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Materiale di imballaggio Reel/Tray/Tube/Others
serie PowerTrench®
FDMS3660S Stato (ciclo di vita) Disponibile
Stato parte Active
Tipo FET 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Caratteristica FET Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 13A, 30A
Rds On (Max) @ Id, Vgs 8 mOhm @ 13A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.7V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 29nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1765pF @ 15V
Potenza - Max 1W
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto / caso 8-PowerTDFN
Pacchetto dispositivo fornitore Power56
Paese d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
FDMS3660S Peso Contattaci
Numero parte di ricambio FDMS3660S-FT

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