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ON Semiconductor FDMS3660S
- Numero parte MFG
- FDMS3660S
- quantità disponibile
- 92010 pezzi
- Prezzo di riferimento
- USD 0.416784
- Il nostro prezzo
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- Data di spedizione
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- fabbricante
- ON Semiconductor
- Breve descrizione
- PowerTrench® MOSFET 2N-CH 30V 13A/30A 8-PQFN
- Stato senza piombo / Stato RoHS
- Conformità RoHS (senza piombo)
- Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
- 1 (illimitato)
- Codice data (D / C)
- Nuovo
- categoria di prodotto
- Transistor - FET, MOSFET - Array
- Risorsa stock
- Distributore in franchising
- Garanzia
- 360 giorni di garanzia di qualità
- scheda dati
- FDMS3660S.pdf
FDMS3660S specificazioni
| codice articolo del costruttore | FDMS3660S |
|---|---|
| Numero di parte futuro | FT-FDMS3660S |
| SPQ / MOQ | Contattaci |
| Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
| serie | PowerTrench® |
| FDMS3660S Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
| Stato parte | Active |
| Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical |
| Caratteristica FET | Logic Level Gate |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 13A, 30A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8 mOhm @ 13A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.7V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 29nC @ 10V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1765pF @ 15V |
| Potenza - Max | 1W |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / caso | 8-PowerTDFN |
| Pacchetto dispositivo fornitore | Power56 |
| Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
| FDMS3660S Peso | Contattaci |
| Numero parte di ricambio | FDMS3660S-FT |
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