codice articolo del costruttore | AOH3110 |
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Numero di parte futuro | FT-AOH3110 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
AOH3110 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 1A (Ta) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 700 mOhm @ 900mA, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.9V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 6nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 100pF @ 50V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 3.1W (Ta) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-223 |
Pacchetto / caso | TO-261-4, TO-261AA |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
AOH3110 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | AOH3110-FT |
DMP56D0UFB-7
Diodes Incorporated
DMN62D0LFB-7B
Diodes Incorporated
DMP57D5UFB-7
Diodes Incorporated
DMP58D0LFB-7B
Diodes Incorporated
DMN2990UFZ-7B
Diodes Incorporated
DMN31D5UFZ-7B
Diodes Incorporated
DMP32D9UFZ-7B
Diodes Incorporated
C3M0065090J
Cree/Wolfspeed
C3M0120090J
Cree/Wolfspeed
C3M0065100J
Cree/Wolfspeed
A3PE600-1FG256I
Microsemi Corporation
A3P1000-2PQ208
Microsemi Corporation
ICE65L04F-LCB132C
Lattice Semiconductor Corporation
ICE40LP640-SWG16TR50
Lattice Semiconductor Corporation
A40MX02-PLG68M
Microsemi Corporation
A42MX16-2TQG176
Microsemi Corporation
LFE3-70E-6FN1156C
Lattice Semiconductor Corporation
AT40K20-2AJC
Microchip Technology
EP3CLS200F780I7
Intel
EPF6016AFC100-3N
Intel